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研调:明年DRAM产出增幅十年新低,为价格反弹奠基础


2020-07-27


展望明(2020)年,由于三大DRAM原厂仍以获利为导向,资本支出预估将较今年减少至少10%,明年的产出年成长亦是近十年来新低、仅12.5%,将为价格反弹奠定一定的基础。

从市场面观察,随着日本政府批准关键半导体原料出口,7月开始的日韩贸易问题已正式落幕。但期间OEM客户受不确定因素与预期心理影响,已纷纷拉高备货库存,使得DRAM原厂的高库存水位逐步下降,并往正常水位迈进。此外,TrendForce表示,第三季适逢传统旺季,再加上美国将在12月初开始对部分中国出口的电子产品课徵关税,也产生提前出货的效应,使需求力道超过预期,这让DRAM原厂在价格议定时态度更坚定,亦让整体第三季价格扭转原先的跌势,转为持平。

展望明(2020)年,由于三大DRAM原厂仍以获利为导向,资本支出预估将较今年减少至少10%,明年的产出年成长亦是近十年来新低、仅12.5%,将为价格反弹奠定一定的基础。

TrendForce调查显示,DRAM原厂的扩厂计画转趋保守,如三星的平泽二厂已经接近完工,但最快要到2020年第二季才会进入商转,且新增的设备仅是支持未来1Znm製程的转进,整体投片量将与今年大致相同。

SK海力士最新M16工厂最快明年下半年完工,产出增加最快要等到2021年,加上旧工厂M10逐步转做代工,预估明年整体DRAM投片量将不增反减。

美光今年在广岛厂旁增设的F栋工厂,也是为了支援1Znm製程转进,整体广岛厂产能并无增加。而台湾美光记忆体目前正在兴建的A3新厂,初期也是支援1Znm製程转进,短期增产机会并不大。但A3厂基地面积不小,未来还是有新增产能的可能。明年中国DRAM投片占全球不到3%,对产业长期影响仍待观察。TrendForce指出,中国目前有两个DRAM生产基地,规模较大的合肥长鑫存储(CXMT)已初步投产,初期产品以DDR4 8Gb为主,明年上半年将会有LPDDR4 8Gb的产品,持续往量产迈进,但预计要到2021年,产能才有机会达到满载的100K甚至以上。

福建晋华(JHICC)虽然受美国禁令影响,美系设备无法有工程人员驻厂维护,但内部仍试图自行将参数调整至最佳化,预计明年投片有10K之内的水準。

因此,TrendForce预估,2020年中国DRAM投片量占全球投片量的比重低于3%,自主生产成果仍有限;展望未来,中国记忆体产业仍需克服良率、机台建置以及IP相关限制等挑战,对整体DRAM供给产生明显冲击的确切时间点,仍需持续观察。



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